BSS138LT1G vs BSS138LT1G-VB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS138LT1G par onsemi et BSS138LT1G-VB par VBsemi Elec. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS138LT1G BSS138LT1G-VB
Marque onsemi VBsemi Elec
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,08 $0,02
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET Single FET
Channel Mode Enhancement Mode —
Boîtier SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) Compliant
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 50 V
Continuous Drain Current (Id) — 200 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 225 mW (Ta)
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: RDS(on)]
Drive Voltage — [DATA_NEEDED: drive voltage]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Manufacturer — VBsemi Elec
Equivalent To — onsemi BSS138LT1G

Fiches techniques et ressources

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