BSS192PH6327FTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS192PH6327FTSA1 par Infineon et BSP316PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS192PH6327FTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,34 $0,21
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Boîtier PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] -55 C to +150 C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) —
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Nombre de broches — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Niveau MSL — 1
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Fiches techniques et ressources

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