BSS192PH6327FTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS192PH6327FTSA1 por Infineon e BSP316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS192PH6327FTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,34 $0,21
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Encapsulamento PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] -55 C to +150 C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) —
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
Status RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Número de pinos — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Nível MSL — 1
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Fichas técnicas e recursos

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