BSS192PH6327FTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS192PH6327FTSA1 メーカー: Infineon および BSP316PH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 ✓ 生産中
Infineon
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS192PH6327FTSA1 BSP316PH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $0.21
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
パッケージ PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] -55 C to +150 C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) —
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ピン数 — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
MSLレベル — 1
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

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