BSS214NWH6327XTSA1 vs IGD08N120S7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS214NWH6327XTSA1 par Infineon et IGD08N120S7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS214NWH6327XTSA1 | IGD08N120S7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | IGBTs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,15 | $1,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSS214NWH6327XTSA1 | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench Field Stop, 7th generation |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 1.5 A | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 250 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 500 mW | — |
| Boîtier | PG-SOT323 (SOT-323-3) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | IGBT 7 (S7) Trench Field Stop |
| Collector-Emitter Voltage (Vce max) | — | 1200 V |
| Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) | — | 24 A |
| Pulsed Collector Current (Icm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed collector current] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 106 W |
| Gate-Emitter Voltage (Vge max) | — | [DATA_NEEDED: Vge max] |
| VCE(sat) at rated Ic | — | 1.65 V |
| Co-packaged Diode | — | Yes (anti-parallel emitter diode) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -40C to +175C (industry grade) |
| Configuration | — | Single |