BSS214NWH6327XTSA1 vs IGD08N120S7ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSS214NWH6327XTSA1 제조: Infineon 및 IGD08N120S7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSS214NWH6327XTSA1 | IGD08N120S7ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | IGBTs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.15 | $1.65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSS214NWH6327XTSA1 | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench Field Stop, 7th generation |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 1.5 A | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 250 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 500 mW | — |
| 패키지 | PG-SOT323 (SOT-323-3) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | IGBT 7 (S7) Trench Field Stop |
| Collector-Emitter Voltage (Vce max) | — | 1200 V |
| Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) | — | 24 A |
| Pulsed Collector Current (Icm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed collector current] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 106 W |
| Gate-Emitter Voltage (Vge max) | — | [DATA_NEEDED: Vge max] |
| VCE(sat) at rated Ic | — | 1.65 V |
| Co-packaged Diode | — | Yes (anti-parallel emitter diode) |
| 동작 접합 온도 | — | -40C to +175C (industry grade) |
| Configuration | — | Single |