BSS306NH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS306NH6327XTSA1 par Infineon et BSS138NH6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS306NH6327XTSA1 BSS138NH6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,14 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Boîtier SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin PG-SOT-23 (3-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) Pb-free
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Sans halogène — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]
Packaging — Tape and Reel

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