BSS306NH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS306NH6327XTSA1 por Infineon e BSS138NH6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS306NH6327XTSA1 BSS138NH6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,14 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Encapsulamento SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin PG-SOT-23 (3-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) Pb-free
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Livre de halogênio — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]
Packaging — Tape and Reel

Fichas técnicas e recursos

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