BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon et BSS138NH6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS308PEH6327XTSA1 BSS138NH6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,11 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Type de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Boîtier / Format PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
Statut RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape and Reel
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Boîtier — PG-SOT-23 (3-pin)
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Sans halogène — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

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