BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS308PEH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS138NH6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS308PEH6327XTSA1 BSS138NH6327XTSA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.11 $0.15
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
트랜지스터 유형 P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
패키지 / 케이스 PG-SOT23 (SOT-23-3) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS 상태 Compliant —
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape and Reel
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
패키지 — PG-SOT-23 (3-pin)
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
할로겐 프리 — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

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