BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 比較

詳細な並列比較: BSS308PEH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS138NH6327XTSA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS308PEH6327XTSA1 BSS138NH6327XTSA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.11 $0.15
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
トランジスタタイプ P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
パッケージ / ケース PG-SOT23 (SOT-23-3) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS ステータス Compliant —
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape and Reel
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
パッケージ — PG-SOT-23 (3-pin)
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
ハロゲンフリー — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼