BSS316NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS316NH6327XTSA1 par Infineon et BSP149H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS316NH6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,13 $0,60
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS 2 (Trench) SIPMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Transistor Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Depletion Mode (normally ON)
Drain-Source Voltage VDS — 200 V
Continuous Drain Current ID — 660 mA (Ta)
Power Dissipation PD — 1.8 W (Ta)
On-State Resistance RDS(on) — 1 ohm (typ)
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Température de fonctionnement — -55 C to +150 C (Tj)
Channel Count — 1
Nombre de broches — 4 (G, D, S, tab)
Configuration — Single

Fiches techniques et ressources

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