BSS316NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS316NH6327XTSA1 por Infineon e BSP149H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS316NH6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,60
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS 2 (Trench) SIPMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Transistor Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Depletion Mode (normally ON)
Drain-Source Voltage VDS — 200 V
Continuous Drain Current ID — 660 mA (Ta)
Power Dissipation PD — 1.8 W (Ta)
On-State Resistance RDS(on) — 1 ohm (typ)
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Temperatura de operação — -55 C to +150 C (Tj)
Channel Count — 1
Contagem de pinos — 4 (G, D, S, tab)
Configuration — Single

Fichas técnicas e recursos

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