BSS316NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS316NH6327XTSA1 von Infineon und BSP149H6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS316NH6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,13 $0,60
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS 2 (Trench) SIPMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Transistor Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Depletion Mode (normally ON)
Drain-Source Voltage VDS — 200 V
Continuous Drain Current ID — 660 mA (Ta)
Power Dissipation PD — 1.8 W (Ta)
On-State Resistance RDS(on) — 1 ohm (typ)
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Betriebstemperatur — -55 C to +150 C (Tj)
Channel Count — 1
Pin-Anzahl — 4 (G, D, S, tab)
Configuration — Single

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