BSS606NH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS606NH6327XTSA1 par Infineon et BSS214NWH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS606NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,13 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
Boîtier PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-SOT323 (SOT-323-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) AEC-Q101 (Automotive)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL 1 (per SOT-89 family standard) —
Reel Quantity 1000 pcs —
Part Number — BSS214NWH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)

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