BSS606NH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS606NH6327XTSA1 por Infineon e BSS214NWH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS606NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
Encapsulamento PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-SOT323 (SOT-323-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Temperatura de junção de operação -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) AEC-Q101 (Automotive)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL 1 (per SOT-89 family standard) —
Reel Quantity 1000 pcs —
Part Number — BSS214NWH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Temperatura de operação — -55C to +150C (junction)

Fichas técnicas e recursos

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