BSS806NH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS806NH6327XTSA1 par Infineon et BSS806NEH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS806NH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,19 $0,14
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 2 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID, Ta) 2.3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 57 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V rated (logic level) —
Gate Drive (recommended VGS) 1.8 V to 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissipation (PD, Ta) 500 mW —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier PG-SOT23-3 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant (Pb-free plating) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Mode of Operation — Enhancement-mode
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

Fiches techniques et ressources

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