BSS806NH6327XTSA1 vs BSS806NEH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS806NH6327XTSA1 por Infineon e BSS806NEH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS806NH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,19 $0,14
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 2 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID, Ta) 2.3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 57 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V rated (logic level) —
Gate Drive (recommended VGS) 1.8 V to 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissipation (PD, Ta) 500 mW —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento PG-SOT23-3 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant (Pb-free plating) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Mode of Operation — Enhancement-mode
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

Fichas técnicas e recursos

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