BSS806NH6327XTSA1 vs BSS816NWH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS806NH6327XTSA1 par Infineon et BSS816NWH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS806NH6327XTSA1 | BSS816NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,19 | $0,14 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 2 (trench MOSFET) | OptiMOS 2 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 2.3 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 57 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V rated (logic level) | — |
| Gate Drive (recommended VGS) | 1.8 V to 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 500 mW | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free plating) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal) |
| Type de transistor | — | MOSFET, N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 1.4 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 160 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 500 mW |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| ESD Protection | — | Yes (integrated, per Infineon datasheet) |
| RoHS / Lead-Free | — | RoHS compliant, lead-free |