BSS806NH6327XTSA1 vs BSS816NWH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSS806NH6327XTSA1 от Infineon и BSS816NWH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon

BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon

BSS806NH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSS806NH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,19 $0,14
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 2 (trench MOSFET) OptiMOS 2 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 2.3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 57 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V rated (logic level) —
Gate Drive (recommended VGS) 1.8 V to 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissipation (PD, Ta) 500 mW —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
Корпус PG-SOT23-3 (SOT-23-3) SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Статус RoHS Compliant (Pb-free plating) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal)
Тип транзистора — MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
RDS(on) max @ VGS=4.5V — 160 mOhm
RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
ESD Protection — Yes (integrated, per Infineon datasheet)
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену