BSS87H6327FTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS87H6327FTSA1 par Infineon et BSL308CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS87H6327FTSA1 | BSL308CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,18 | $0,21 |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Boîtier | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Nombre de broches | 3 (Gate / Drain / Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs |
| Configuration | — | Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) | — | 2.3 A |
| Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) | — | 2 A |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] |
| On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 18 pF |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes (per Infineon product family convention) |