BSS87H6327FTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS87H6327FTSA1 par Infineon et BSP315PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS87H6327FTSA1 BSP315PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,31
FET Type N-Channel enhancement-mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1.8 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Boîtier PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Nombre de broches 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology Vertical DMOS —
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

Fiches techniques et ressources

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