BSS87H6327FTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS87H6327FTSA1 por Infineon e BSP315PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS87H6327FTSA1 BSP315PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,18 $0,31
FET Type N-Channel enhancement-mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1.8 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Encapsulamento PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Contagem de pinos 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology Vertical DMOS —
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

Fichas técnicas e recursos

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