BSS87H6327FTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS87H6327FTSA1 par Infineon et BSS127H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS87H6327FTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,18 | $0,03 |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | 21 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 4.5 V (logic level, rated) |
| Boîtier | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Nombre de broches | 3 (Gate / Drain / Source) | 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW (Ta) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |