BSS87H6327FTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSS87H6327FTSA1 от Infineon и BSS127H6327XTSA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSS87H6327FTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,18 | $0,03 |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | 21 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 4.5 V (logic level, rated) |
| Корпус | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | — |
| Число выводов | 3 (Gate / Drain / Source) | 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW (Ta) |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +150 C |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |