BSZ011NE2LS5IATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ011NE2LS5IATMA1 par Infineon et IPD082N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ011NE2LS5IATMA1 | IPD082N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,55 | $1,14 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 4.5 V to 10 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Part Number | — | IPD082N10N3GATMA1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | — | 80 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 8.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 125 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Boîtier / Format | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | — | Not applicable (industrial/consumer grade) |