BSZ011NE2LS5IATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 比較
詳細な並列比較: BSZ011NE2LS5IATMA1 メーカー: Infineon および IPD082N10N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | BSZ011NE2LS5IATMA1 | IPD082N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.55 | $1.14 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 4.5 V to 10 V | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +150°C | — |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Part Number | — | IPD082N10N3GATMA1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | — | 80 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 8.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 125 W |
| 動作接合温度 | — | -55°C to +175°C |
| パッケージ / ケース | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| ピン数 | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | — | Not applicable (industrial/consumer grade) |