BSZ011NE2LS5IATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ011NE2LS5IATMA1 von Infineon und IPD082N10N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ011NE2LS5IATMA1 IPD082N10N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,55 $1,14
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Halogenfrei Yes —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Gehäuse / Bauform — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)

Datenblätter & Ressourcen

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