BSZ024N04LS6ATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ024N04LS6ATMA1 par Infineon et BSZ018NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ024N04LS6ATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,46 | $0,39 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 130 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 2.4 mΩ | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.3 V (typical) | — |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | 25 nC | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 1.8 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 19 pF | — |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 75 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount, top-side drain pad | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ018NE2LSIATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 69 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |