BSZ024N04LS6ATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSZ024N04LS6ATMA1 por Infineon e BSZ018NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSZ024N04LS6ATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,46 | $0,39 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 130 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 2.4 mΩ | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.3 V (typical) | — |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | 25 nC | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 1.8 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 19 pF | — |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 75 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55°C to +175°C | — |
| Encapsulamento | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| Tipo de montagem | Surface Mount, top-side drain pad | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ018NE2LSIATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 69 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |