BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ036NE2LSATMA1 par Infineon et BSZ018NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ018NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $0,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Niveau MSL | 1 (Unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 40 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 69 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Sans halogène | — | Yes |