BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ036NE2LSATMA1 от Infineon и BSZ018NE2LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ018NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,42 | $0,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Уровень MSL | 1 (Unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 40 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 69 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Без галогенов | — | Yes |