BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ070N08LS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N03LSATMA1 par Infineon et BSZ070N08LS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ065N03LSATMA1 | BSZ070N08LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| Boîtier / Format | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Part Family | — | OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 74 A (Tc, per datasheet) |
| Continuous Drain Current (ID) at TA / Si | — | [DATA_NEEDED: TA-rated ID] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 7 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | Logic-level (drive compatible with 4.5 V) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total Qg] |
| Power Dissition PD max at TC | — | 69 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Boîtier | — | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Reel Quantity | — | 5000 per 13-inch reel (T&R) |