BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ070N08LS5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ065N03LSATMA1 от Infineon и BSZ070N08LS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSZ065N03LSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ065N03LSATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,38 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 30V —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26 W —
Корпус / Типоразмер PG-TSDSON-8-FL (S308) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) —
Уровень MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow)
Статус RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (typical) 4.5 V —
Part Family — OptiMOS™ 5 (80 V logic-level)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 74 A (Tc, per datasheet)
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si — [DATA_NEEDED: TA-rated ID]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 7 mΩ
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (drive compatible with 4.5 V)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total Qg]
Power Dissition PD max at TC — 69 W
Рабочая температура перехода — -55 °C to +150 °C
Корпус — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount
Avalanche Rated — Yes
Reel Quantity — 5000 per 13-inch reel (T&R)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену