BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N03LSATMA1 par Infineon et BSZ096N10LS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ065N03LSATMA1 | BSZ096N10LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,94 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| Boîtier / Format | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | 20 V (typical) |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) | — | 40 A |
| Maximum Silicon Drain Current (ID max) | — | 62 A |
| Pulse Drain Current (ID,pulse) | — | 160 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 9.6 mΩ at VGS=10 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | Logic-level (low single-volt range) |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 40 A (TC=25 °C) |
| Diode Forward Voltage (VSD) | — | 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A |
| Boîtier | — | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| ESD Protection | — | Yes (gate-integrated) |
| Packaging Code | — | ATMA1 (tape and reel) |