BSZ065N03LSATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSZ065N03LSATMA1 por Infineon e BSZ096N10LS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSZ065N03LSATMA1 | BSZ096N10LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,38 | $0,94 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| Encapsulamento / Caixa | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Nível MSL | 1 | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | 20 V (typical) |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) | — | 40 A |
| Maximum Silicon Drain Current (ID max) | — | 62 A |
| Pulse Drain Current (ID,pulse) | — | 160 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 9.6 mΩ at VGS=10 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | Logic-level (low single-volt range) |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 40 A (TC=25 °C) |
| Diode Forward Voltage (VSD) | — | 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A |
| Encapsulamento | — | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| ESD Protection | — | Yes (gate-integrated) |
| Packaging Code | — | ATMA1 (tape and reel) |