BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N06LS5ATMA1 par Infineon et BSC0902NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ065N06LS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS™ 5 logic-level —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +150C (Tj)
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Sans halogène — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Fiches techniques et ressources

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