BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ065N06LS5ATMA1 por Infineon e BSC0902NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ065N06LS5ATMA1 BSC0902NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS™ 5 logic-level —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55C to +150C (Tj)
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Fichas técnicas e recursos

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