BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ065N06LS5ATMA1 par Infineon et BSZ011NE2LS5IATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ065N06LS5ATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 logic-level | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 65 A | — |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.5 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.8 nF | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | -55°C to +150°C |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| Niveau MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |