BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ065N06LS5ATMA1 por Infineon e BSZ011NE2LS5IATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55°C to +150°C
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
Nível MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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