BSZ068N06NSATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ068N06NSATMA1 par Infineon et IPB110P06LMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ068N06NSATMA1 IPB110P06LMATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $1,31
FET Type N-Channel P-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mΩ @ VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 46 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55 C to +175 C (TJ)
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Boîtier / Format — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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