BSZ068N06NSATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ068N06NSATMA1 por Infineon y IPB110P06LMATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ068N06NSATMA1 IPB110P06LMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $1,31
FET Type N-Channel P-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mΩ @ VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 46 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55 C to +175 C (TJ)
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Encapsulado / Carcasa — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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