BSZ068N06NSATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ068N06NSATMA1 por Infineon e IPB110P06LMATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ068N06NSATMA1 IPB110P06LMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $1,31
FET Type N-Channel P-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mΩ @ VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 46 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55 C to +175 C (TJ)
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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