BSZ100N03MSGATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ100N03MSGATMA1 par Infineon et BSC076N04NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSZ100N03MSGATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 40A TSDSON-8 MOSFET | Infineon
BSZ100N03MSGATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ100N03MSGATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,41 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 25V / 30V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 30 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: ±20 V typical per datasheet; verify in datasheet] | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 (5x6 mm) | — |
| Terminal Finish | Tin (Pb-free) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | JEDEC - target application qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (per JEDEC) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free plating) | — |
| Sans halogène | Yes (per IEC 61249-2-21) | — |
| RDS(on) at VGS=10V (typical) | [DATA_NEEDED: see datasheet Diagram 1] | — |
| Gate Charge Qg (typical) | [DATA_NEEDED: see datasheet] | — |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |