BSZ100N03MSGATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ100N03MSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC076N04NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ100N03MSGATMA1 BSC076N04NDATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.41 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Configuration Single with built-in body diode Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC 30 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±20 V typical per datasheet; verify in datasheet] —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ PG-TSDSON-8 (5x6 mm) —
Terminal Finish Tin (Pb-free) —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
Qualification JEDEC - target application qualified —
Avalanche Tested 100% (per JEDEC) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free plating) —
ハロゲンフリー Yes (per IEC 61249-2-21) —
RDS(on) at VGS=10V (typical) [DATA_NEEDED: see datasheet Diagram 1] —
Gate Charge Qg (typical) [DATA_NEEDED: see datasheet] —
MSLレベル MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
動作接合温度 — -55 C to +175 C
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼