BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ110N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC023N08NS5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ110N08NS5ATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,44 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C

Fiches techniques et ressources

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