BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon e BSC023N08NS5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ110N08NS5ATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,44 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C

Fichas técnicas e recursos

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