BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ110N08NS5ATMA1 от Infineon и BSC023N08NS5SCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSZ110N08NS5ATMA1 | BSC023N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,44 | $1,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Part Number | — | BSC023N08NS5SCATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 202 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 188 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | — | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 98 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.8 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 74 pF |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.72 K/W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +175 °C |