BSZ120P03NS3GATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ120P03NS3GATMA1 par Infineon et BSC050N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSZ120P03NS3GATMA1 - -30V P-Ch 12mOhm OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSZ120P03NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ120P03NS3GATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,12 | $0,41 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (TA=25C) | -11 A | — |
| Continuous Drain Current (TC=25C) | -40 A | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 52 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 12 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | -1.7 V | — |
| Technology | OptiMOS P3 | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |