BSZ120P03NS3GATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ120P03NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC050N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 - -30V P-Ch 12mOhm OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSZ120P03NS3GATMA1 - -30V P-Ch 12mOhm OptiMOS P3 MOSFET | Infineon

BSZ120P03NS3GATMA1 ✓ 生産中
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BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ120P03NS3GATMA1 BSC050N04LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.12 $0.41
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (TA=25C) -11 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) -40 A —
Power Dissipation (TA=25C) 2.1 W —
Power Dissipation (TC=25C) 52 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 12 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -1.7 V —
Technology OptiMOS P3 OptiMOS 3 (trench MOSFET)
パッケージ PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
動作温度範囲 -55C to +150C -55C to +150C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 1
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

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